IBM объявила о планах по созданию нового чипа толщиной 5 нанометров и уходе от архитектуры FinFET, широко используемой сегодня в производстве процессоров для массового рынка. В новом чипе будут использоваться структура из кремниевых нанолистов (silicon nanosheets), в которой транзисторы посылают электроны одновременно через четыре затвора, в отличие от трёх в структуре FinFET.
Сформулированный в 1970 году Закон Мура гласит, что количество размещенных на одном чипе транзисторов удваивается каждые два года. Очередная инновация от IBM это подтверждает. Новая структура позволяет «упаковывать» около 30 млрд транзисторов на чипе толщиной с ноготь и сулит существенные выгоды в мощности и эффективности.
По сравнению с текущими 10 нм микросхемами прототипы 5 нм способны повысить производительность на 40 процентов при фиксированной мощности или обеспечить экономию энергии 75 процентов при согласованной производительности. Разработка может привести к меньшим, более мощным и более эффективным устройствам — но с 10-нм чипами, которые просто попадают на рынок, и 7 нм для коммерческого выпуска в 2019 году, эти 5 нм чипы, вероятно, еще около четырех лет.
